MOSFET，無論是SiCMOSFET還是其他，在漏極和源極之間都有一個二極管，如圖所示。作為MOSFET結構的結果，二極管由源極和漏極之間的pn結形成，也被稱為寄生二極管或內部二極管。二極管的性能是MOSFET的一個重要參數，在實際應用中對MOSFET的性能有著重要的影響。

如前所述，肖特基二極體的導通電壓非常低。相比于一般二極管在電流流過時產生的約 0．7－1．7 V的電壓降，肖特基二極管的電壓降只有 0．15－0．45 V。正是因此，使用肖特基二極管，可以提升系統的效率。

PCB設計中放大器可以有各種形狀和尺寸，具體取決于其帶寬，功耗和許多其他因素。D類音頻放大器設計通常與高保真音頻系統一起使用，并且D類音頻放大器的電路在原理圖中構建起來不太困難。如果您從未使用過D類音頻放大器，或者您正在尋找有趣的音頻項目，請遵循以下PCB布局。

MOSFET的差異化主要來源于三個方面，一是基于系統 know-how理解的設計能力。二是前段制程的差異，即晶圓制造環節的工藝水平差異。三是后段制程的差異，即芯片封裝工藝水平的差異。 數字邏輯芯片產品的價值鏈構成更長，設計軟件、IP、EDA、know-how、前段晶圓制造能力

其實MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電放電形成的是短時大電流，放電脈沖的時間常數遠小于器件散熱的時間常數。