碳化硅肖特基二極管有什么特性？
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摘要 : MOSFET，無論是SiCMOSFET還是其他，在漏極和源極之間都有一個二極管，如圖所示。作為MOSFET結構的結果，二極管由源極和漏極之間的pn結形成，也被稱為寄生二極管或內部二極管。二極管的性能是MOSFET的一個重要參數，在實際應用中對MOSFET的性能有著重要的影響。
MOSFET，無論是SiCMOSFET還是其他，在漏極和源極之間都有一個二極管，如圖所示。作為MOSFET結構的結果，二極管由源極和漏極之間的pn結形成，也被稱為寄生二極管或內部二極管。二極管的性能是MOSFET的一個重要參數，在實際應用中對MOSFET的性能有著重要的影響。
碳化硅肖特基二極管的正向特性
下面的mos-SiC特性圖顯示了mos-SiC的特性。以源極為基準，向漏極施加負電壓，二極管處于正向偏置狀態。在圖中，Vgs=0V的綠色軌跡顯示了主二極管的Vf特性。Vgs為0v，即MOSFET處于關斷狀態并且沒有溝道電流流動，因此在這些條件下Vd-Id特性可以說是二極管的Vf-If特性。正如在“什么是碳化硅”一節中所解釋的那樣？與Si-mosfet相比，SiC具有較大的禁帶寬度和極高的Vf。
另一方面，當通過柵極和源極施加18v電壓使sicmosfet導通時，在電阻較低的溝道中流動的電流占主導地位，而不是二極管。下面顯示了MOSFET橫截面圖，以幫助理解這些不同狀態的結構方面。
碳化硅肖特基二極管的反向恢復特性！
MOSFET二極管的另一個重要特性是反向恢復時間（trr）。先前在SiC肖特基勢壘二極管一節中解釋過，trr是與二極管開關特性有關的一個重要參數。當然，因為MOSFET的二極管有pn結，所以會出現反向恢復現象，這就是反向恢復時間（trr）。
下面比較了額定電壓為1000v的Si-MOSFET和SCT2080KE-SiC-MOSFET的trr特性。
如我們所見，本例中的Si-MOSFET的trr很長，并且有很大的電流Irr流動。相比之下，SCT2080KESiCMOSFET的二極管速度非?？?。trr和Irr都很小，可以忽略不計，回收損失Err大大降低。
碳化硅肖特基關鍵點：
碳化硅肖特基二極管的正向特性Vf比SiMOSFET高。
碳化硅肖特基二極管的trr很快，相對于SiMOSFET，恢復損耗可以降低。
