場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^7～10^12Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點

二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的轉導性。

Z1的負極連接到三極管的基極，三極管發射極E是輸出，形成了一個射極跟隨器，也就是說，E極的電壓隨著B電壓變化而變化，但BE之間有一個壓降，一般硅管0.7V左右，假設B極是6.7V，那E極就是6.7-0.7=6V，所以就有一個公式VOUT=Vz-Vbe，可以根據VOUT來選擇合適的穩壓管。

OP運放也稱運算放大器，是一個內含多級放大電路的電子集成電路，其輸入級是差分放大電路，具有高輸入電阻和抑制零點漂移能力；中間級主要進行電壓放大，具有高電壓放大倍數，一般由共射極放大電路構成；輸出極與負載相連，具有帶載能力強、低輸出電阻特點。

當使用5V電源,這時候如果使用傳統的圖騰柱結構,由于三極管的be有0.7V左右的壓降,導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候,我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。同樣的問題也發生在使用3V或耆其他低壓電源的場合