可控硅是否能夠代替MOS管？
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摘要 : 可控硅的學名叫晶閘管，用SCR代表它。其中，晶閘管里面又分為單相晶閘管和雙向晶閘管。單相晶閘管結構為門極（G）表示，陰極（K）表示，陽極（A）表示。而雙向晶閘管除控制極用G表示，另外的兩個極分別為T1、T2表示。
可控硅不能代替MOS管，它們兩者之間雖然封裝形式差不多，都是三個腳位引出，但工作原理完全不一樣的。
可控硅的學名叫晶閘管，用SCR代表它。其中，晶閘管里面又分為單相晶閘管和雙向晶閘管。單相晶閘管結構為門極（G）表示，陰極（K）表示，陽極（A）表示。而雙向晶閘管除控制極用G表示，另外的兩個極分別為T1、T2表示。
晶閘管的特性可分為導通和關斷兩種狀態，二者均隨陽極電壓、電流和控制極電流等條件的變化而改變。見下圖表所示。
維持導通的條件為，①陽極電位高于陰極電位；陽極電流大于維持電流；①、②兩個條件必須同時具備。
導通轉為關斷的條件為，①陽極電流小于維持電流；②陰極電位低壓陰極電位；其中具備①、②中的一個條件即可。
而MOS管叫做場效應管，根據工藝分類，它可以分為結型場效應管和絕緣柵場效應管(俗稱MOS)兩類。
根據導電溝道所用材料進行分類，它可以分為N型溝道和P型溝道兩種。
根據零壓條件下源、漏極通斷狀態進行分類，它可以分為耗盡型和增強型兩種。(當柵壓為零伏時存在較大的漏極電流的場效應管被稱為耗盡型場效應管，只有當柵偏壓達到一定值時才有漏極電流的場效應管被稱為增強型場效應管)。
場效應管的主要特性參數有以下幾個。
1、夾斷電壓Up，Ups為某一固定值(例如10V)并且使id等于某一微小電流(例如50mA)時，柵~源極之間所施加的電壓即是夾斷電壓；若Ugs=Up，則Id=0。
飽和漏極電流Idss，它是指Ugs=0時，場效應管發生預夾斷的漏極電流；Idss是結型場效應管所能夠輸出的最大電流。
2、開啟電壓Ut，這個參數是MOS增強型場效應管的重要參數之一(它的意思是說；若柵極~源極電壓Ugs小于Ut，則場效應管是處于截止狀態)。
3、直流輸入電阻Rgs，它是指在漏~源極施加一定電壓時，柵~源極之間的直流電阻，即柵~源極間的等效電阻。
⑤跨導gm，它是指漏極電流的微變量與引起這個微變的漏~源電壓微變量的之比；即:gm=△Id/△Ugs，跨導這個參數是衡量場效應管漏~源電壓對漏極電流控制能力的一個重要參數，也是衡量場效應管放大作用的主要參數之一。
4、最大漏極功率Pd，Pd=Uds*Id，這個參數相當于普通三極管的Pcm。
5、極限漏極電流Id，它是指漏極能夠輸出的最大電流，相當于普通三極管的Ic。
6、導通電阻Rds(on)，它是指場效應管導通時，漏~源極之間的電阻值；這個參數屬于場效應管的靜態參數。
7、最大漏~源電壓Udss(或Uds)，它是指場效應管的漏~源極之間可以承受的最大電壓，相當于普通三極管的最大反向工作電壓Uceo。
