MOS管損壞的5種方式！
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摘要 : Mos是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為Mos內阻，就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了Mos芯片能承受的最大導通電流（當然和其它因素有關，最有關的是熱阻），內阻越小承受電流越大（因為發熱?。?。
Mos是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為Mos內阻，就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了Mos芯片能承受的最大導通電流（當然和其它因素有關，最有關的是熱阻），內阻越小承受電流越大（因為發熱?。?。
Mos管在控制器電路中的工作狀態:
開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態。
Mos管燒壞的原因主要損耗也對應這幾個狀態，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗，不同mos這個差距可能很大。
Mos損壞主要原因：
過流：持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀；
過壓：源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿；
靜電：靜電擊穿，CMOS電路都怕靜電
第一種：雪崩破壞
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發生破壞的現象。
在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。
典型電路：
第二種：器件發熱損壞
由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因分為直流功率和瞬態功率兩種。
直流功率原因：外加直流功率而導致的損耗引起的發熱
導通電阻RDS(on)損耗（高溫時RDS(on)增大，導致一定電流下，功耗增加）
由漏電流IDSS引起的損耗（和其他損耗相比極?。?br />
瞬態功率原因：外加單觸發脈沖
負載短路
開關損耗（接通、斷開） *（與溫度和工作頻率是相關的）
內置二極管的trr損耗（上下橋臂短路損耗）（與溫度和工作頻率是相關的）
器件正常運行時不發生的負載短路等引起的過電流，造成瞬時局部發熱而導致破壞。另外，由于熱量不相配或開關頻率太高使芯片不能正常散熱時，持續的發熱使溫度超出溝道溫度導致熱擊穿的破壞。
第三種：內置二極管破壞
在DS端間構成的寄生二極管運行時，由于在Flyback時功率MOSFET的寄生雙極晶體管運行，導致此二極管破壞的模式。
第四種：由蕩導致的破壞
此破壞方式在并聯時尤其容易發生。在并聯功率MOS FET時未插入柵極電阻而直接連接時發生的柵極寄生振蕩。高速反復接通、斷開漏極-源極電壓時，在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發生此寄生振蕩。當諧振條件(ωL=1/ωC)成立時，在柵極-源極間外加遠遠大于驅動電壓Vgs(in)的振動電壓，公眾號：芯片電子之家。由于超出柵極-源極間額定電壓導致柵極破壞，或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓通過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導致正向反饋，因此可能會由于誤動作引起振蕩破壞。
第五種：柵極電涌、靜電破壞
主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過電壓破壞和由上電狀態中靜電在GS兩端（包括安裝和和測定設備的帶電）而導致的柵極破壞。
