MOS管和三級管在功能上究竟有何區別？兩種元件本身都是屬于基本單元，相似的外表，獨立的器件，如果用肉眼觀察的話很難找出兩者之間的區別，從工作原理上又發現兩者的工作原理晦澀難懂，這次立深鑫就用一個簡單的例子來給大家分享一下二者在功能上的區別。

肖特基二極管是以其發明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基勢壘二極管。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬——半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬——半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

瞬態抑制二極管操作方式如下：正向浪涌時，瞬態抑制二極管處于反向雪崩擊穿狀態；反向浪涌時，瞬態抑制二極管類似正向偏置二極管一樣導通并吸收浪涌能量。此時需要參考瞬態抑制二極管的正向導通峰值電流，IFSM。

TVS二極管又稱為瞬態抑制二極管，是普遍使用的一種新型高效電路保護器件，它具有極快的響應時間（亞納秒級）和相當高的浪涌吸收能力。