MOS管相比于三極管，開關速度快，導通電壓低，電壓驅動簡單，所以越來越受工程師的喜歡，然而，若不當設計，哪怕是小功率MOS管，也會導致芯片燒壞，原本想著更簡單的，最后變得更加復雜。這幾年來一直做高頻電源設計，也涉及嵌入式開發，對大小功率MOS管。

MOSFET結構的核心是金屬-氧化物-半導體電容，即MOS電容。MOS電容自身并不是一種廣泛應用的器件，但是卻是整個MOS晶體管的核心單元。MOS中的金屬最初是鋁，現在大多數情況被沉積在氧化物上的多晶硅代替。MOS電容的基本架構如下所示。

一直想給大家講講ESD的理論，很經典。但是由于理論性太強，如果前面那些器件理論以及snap-back理論不懂的話，這個大家也不要浪費時間看了。任何理論都是一環套一環的，如果你不會畫雞蛋，注定了你就不會畫大衛。

靜電放電保護可以從FAB端的Process解決，也可以從IC設計端的Layout來設計，所以你會看到Prcess有一個ESD的option layer，或者Design rule里面有ESD的設計規則可供客戶選擇等等。當然有些客戶也會自己根據SPICE model的電性通過layout來設計ESD。

沒有電阻Rgs時，在G極接上5V控制信號，相當于給寄生電容Cgs進行充電，即使撤去G極上的控制電壓，G極上也有電容的電壓存在，所以MOS仍然是導通的。