多芯片驅動器技術解決小型化DC/DC應用設計問題
來源：立深鑫電子????????發布時間：08-18????????點擊：
摘要 : 現在的高效降壓DC/DC轉換器應用同步整流技術，以滿足計算應用的高效要求。驅動器和功率系統必須針對特定工作點進行優化。封裝、硅技術和集成技術的進步推動了開關模式電源在功率密度、效率和熱性能方面的提高。
現在的高效降壓DC/DC轉換器應用同步整流技術，以滿足計算應用的高效要求。驅動器和功率系統必須針對特定工作點進行優化。封裝、硅技術和集成技術的進步推動了開關模式電源在功率密度、效率和熱性能方面的提高。與分立式方案相比，驅動器加FET（Driver-plus-FET）多芯片模塊（MCM）可以節省相當可觀的空間。目前的MCM還能提供性能優勢，這對筆記本電腦、臺式電腦和服務器的電源應用非常關鍵。
眾所周知，設計理想的降壓轉換器涉及到眾多權衡取舍。功率密度的提高通常意味著總體功耗的增加，以及結溫、外殼溫度和PCB溫度的提升。同樣地，針對中等電流到峰值電流優化DC/DC電源，幾乎也總是意味著犧牲輕載效率，反之亦然。
多芯片驅動器加FET技術
用于計算和通信系統的典型多相位DC/DC降壓轉換器一般采用一個控制FET（上橋）和一個或兩個同步FET（下橋）以及若干柵極驅動器。這種方案被稱為“分立式解決方案”。過去數年中，已有的分立式設計在功率效率方面取得了長足的進步。
制造業在封裝領域的進展擴大了對無腳MOSFET封裝的采用。DC/DC工程師現能進一步提升其電源的電流容量。例如，在筆記本電腦和服務器中，從S08和DPAK器件到熱增強型封裝技術的轉移正在順利進行。
由于分立式解決方案無法滿足對更高功率密度的要求，也不能解決較高開關頻率下的寄生參數影響問題，因而大大推動了多芯片模塊（MCM）的發展。這些普遍被稱為DrMOS的MCM在相當長的一段時間內一直是業界評估的重點。減小外形尺寸的趨勢把計算和通信系統推向MCM領域。而且，這些器件的性能也等同甚至優于分立式解決方案。
MCM技術成功的主要原因在于：
采用無腳封裝，熱阻抗很低。
采用內部引線鍵合設計，盡量減少外部PCB布線，從而降低電感和電阻PCB寄生元素。
采用更先進的溝道硅（trench silicon）MOSFET工藝，顯著降低傳導、開關和柵極電荷損耗。
兼容多種控制器，可實現不同的工作模式，尤其是不連續電流模式以提高輕載效率。新的DrMOS器件帶有低驅動禁用功能，可關斷下橋FET。
針對目標應用進行設計的高度優化。
最重要的是驅動器、FET、二極管和LDO的集成。
